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上海硅酸鹽所舉行第三十九期人工晶體講壇 北京大學沈波教授、中國科學院半導體研究所游經碧研究員應邀作報告
發布時間: 2019-12-11 21:46 | 【 【打印】【關閉】

  1128日,中國科學院上海硅酸鹽研究所人工晶體研究中心、上海硅酸鹽所中試基地、中國科學院透明光功能無機材料重點實驗室、上海市硅酸鹽學會聯合舉辦了第三十九期“會聚”時代的人工晶體講壇,北京大學寬禁帶半導體研究中心沈波教授和中國科學院半導體研究所游經碧研究員應邀作了學術報告。上海硅酸鹽所副所長蘇良碧,來自上海硅酸鹽所、上海光機所等單位的科研人員與研究生聆聽報告。報告會由中國科學院原副院長、上海張江綜合性國家科學中心常務副主任、上海硅酸鹽所人工晶體研究中心學術委員會主任施爾畏研究員主持。 

  沈波教授作了題為“GaN 基第三代半導體電子材料與器件”的報告。其團隊提出“大失配誘導應力控制外延”的方法,有效解決了GaNSi的巨大晶格失配和熱失配,獲得了世界領先水平的高溝道遷移率GaN基增強型器件與高耐壓/低導通電阻GaN基增強型器件。國際上首次在GaN:C材料中測到CN的兩個局域振動模,該研究成果已應用于指導華為公司GaN基功率電子產品性能的提升。近期,其團隊創新性提出 SiO2與石墨烯復合策略,實現了Si (100)GaN的雙疇結構。經過多年的研究,目前北大寬禁帶半導體研究中心成功地研制出我國第一只GaN基藍光LED 、128128AlGaN基深紫外光電探測器陣列,第一只具有微波輸出特性的GaNHEMT電子器件、實現了電注入GaN基激光器脈沖激射,為實現我國GaN基激光器零的突破作出了貢獻。 

  游經碧研究員作了題為“鈣鈦礦半導體光電器件”的報告。報告從鈣鈦礦材料的結構、優點和應用談起,詳細介紹了鈣鈦礦電池及發光器件的研究進展。為獲得高效穩定的鈣鈦礦電池及發光器件,游經碧研究員團隊從半導體異質結界面調控出發,提出了利用SnO2作為電子傳輸層解決平面異質結鈣鈦礦電池的電滯問題,先后成功獲得電池效率為19.9%,20.9%,23.3%、23.7%的高效鈣鈦礦電池。利用全無機電荷傳輸層(CsPbI3/ CsPbBr3/ CsPbIBr2/ CsPbI2Br等)提高鈣鈦礦電池穩定性,成功制備了轉換效率超過18%,連續光照1000小時無明顯衰減的無機鈣鈦礦電池。近期,其團隊利用有機絕緣聚合物PVP改善發光器件電荷注入平衡以及有機小分子鈍化鈣鈦礦表面,抑制非輻射復合的策略,獲得了綠光電致發光效率超過20%的鈣鈦礦發光二極管。 

  報告會中,與會人員與報告人就感興趣的問題展開了熱烈的交流與討論。 

中國科學院原副院長、上海張江綜合性國家科學中心常務副主任、上海硅酸鹽所人工晶體研究中心學術委員會主任施爾畏研究員主持報告會

北京大學寬禁帶半導體研究中心沈波教授作報告

中國科學院半導體研究所游經碧研究員作報告

 

 

交流提問現場

報告會現場

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